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半導体企業は、実験的メモリタイプと考えられるPCMを研究している。 PCMは、原子が再配列されるときに状態を変化させるガラス様材料を含む。材料の状態はコンピューティングの1と0に対応し、データの保存に使用できます。インテルとインフィニオンテクノロジーズを含む多くの企業は、PCMの開発に長年関わっており、速度と記憶容量を向上させます。支持者は、PCMが最終的にモバイルデバイスで使用されているNANDおよびNORフラッシュメモリタイプに代わることができると主張している。PCMチップは、最初、携帯電話のようなモバイルデバイスでの使用を見出し、最終的に消費電力を30％サムスン電子のテクニカルマーケティング担当上級マネージャー、Harry Yoon氏は、メモリ部品をNORフラッシュからPCMに変更する際に、 PCMの開発には多くの勢いがありますが、メモリタイプはまだ研究中であり、モバイルデバイスの既存のメモリタイプを置き換えるには何年もかかるとアナリストは述べています。 Handy氏は、半導体市場調査会社のObjective Analysisのアナリスト、ジム・ハンディ氏は、モバイル機器では数年かかるだろうと指摘している。Handy氏によれば、PCMは12年かかる可能性がある、 彼は言った。 PCMは、スマートフォンのようなデバイスで最初にNORフラッシュに取って代わられる可能性があると、アナリストらは指摘する。 Forward Insightsのアナリスト、Gregory Wongは、NORと比較して、PCMはより高速なデータアクセスと耐久性を提供すると述べています。 PCMは、既存のメモリタイプに比べて大幅な省電力を提供します。スマートフォンのようなデバイスに画像や動画を保存するために使用されるNANDフラッシュをPCMが奪うのは難しいかもしれません。東芝は最近、NAND型フラッシュを10ナノメートルプロセスで製造できることを示した。ハンディ氏は、チップサイズの縮小に伴い、NANDがPCMと競合する可能性があると指摘した。しかし、NANDフラッシュは、PCMや競合するメモリ技術が飛ぶことができるある時点で、そのラインの終わりに達するだろう.Wongは、PCMも短期間で開発とコスト関連の問題を克服しなければならないと述べた。例えば、NORフラッシュはセル当たり2ビットを記憶し、PCMは1ビットしか記憶しないため、開発コストが上昇する。
「メモリセルを積極的に圧縮してコスト競争力を持たせる必要があるそれにもかかわらず、サムスンの生産発表はPCMの未来にとって重要な節目となっているとアナリストらは指摘している[
]。彼らが信じるものは大量生産することができる」とハンディ氏は語った。 "これは、他のテクノロジーよりもPCMの明るい未来を見ていたことを意味します。"
STMicroelectronicsとIntelの合弁会社であるNumonyxは、すでに「Alverstone」というコードネームのPCMデバイスを出荷しています。サムスンとニューモニクスは今年、同社が共同でPCM仕様を開発すると発表した。
MRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）とRRAM（抵抗性ランダムアクセスメモリ）を含む、フラッシュメモリの代替として研究されているPCM以外の技術もある。